PMV60EN,215

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Pièce du fabricant

PMV60EN,215

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
300000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:TrenchMOS™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4.7A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:55mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:9.4 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 30 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-236AB
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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