LND150N8-G

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Pièce du fabricant

LND150N8-G

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
89250
Fiches techniques en ligne
LND150N8-G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):500 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:30mA (Tj)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):0V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1000Ohm @ 500µA, 0V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:10 pF @ 25 V
  • fonction fet:Depletion Mode
  • puissance dissipée (max):1.6W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-89-3
  • paquet / caisse:TO-243AA
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