Name: SPB03N60C3ATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: SPB03N60C3ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: SPB03N60C3ATMA1

Fabricant: Rochester Electronics

La description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 2000

Fiches techniques en ligne: SPB03N60C3ATMA1 PDF

SPB03N60C3ATMA1 Avis

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séries:CoolMOS™
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 135µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):38W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3-2
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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