FDU6512A

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Pièce du fabricant

FDU6512A

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1511
Fiches techniques en ligne
FDU6512A PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10.7A (Ta), 36A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±12V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.082 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.8W (Ta), 43W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
  • paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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