CSD17313Q2T

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Pièce du fabricant

CSD17313Q2T

Fabricant
Texas
La description
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
40000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):3V, 8V
  • rds sur (max) @ id, vgs:30mOhm @ 4A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:2.7 nC @ 4.5 V
  • vg (max):+10V, -8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:340 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.4W (Ta), 17W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-WSON (2x2)
  • paquet / caisse:6-WDFN Exposed Pad
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