FQD2N60CTF

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Pièce du fabricant

FQD2N60CTF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
200000
Fiches techniques en ligne
FQD2N60CTF PDF
Enquête
  • séries:QFET®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.9A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.7Ohm @ 950mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 44W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D-Pak
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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