FDMS8050ET30

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Pièce du fabricant

FDMS8050ET30

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
60300
Fiches techniques en ligne
FDMS8050ET30 PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:55A (Ta), 423A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:0.65mOhm @ 55A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 750µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:285 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:22610 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.3W (Ta), 180W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:Power56
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
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