SIA414DJ-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SIA414DJ-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
300000
Fiches techniques en ligne
SIA414DJ-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):8 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:12A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.2V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:11mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:800mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 5 V
  • vg (max):±5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 4 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® SC-70-6 Single
  • paquet / caisse:PowerPAK® SC-70-6
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