TP65H050WS

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Pièce du fabricant

TP65H050WS

Fabricant
Transphorm
La description
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
7489
Fiches techniques en ligne
TP65H050WS PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:34A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):12V
  • rds sur (max) @ id, vgs:60mOhm @ 22A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.8V @ 700µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1000 pF @ 400 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):119W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
  • paquet / caisse:TO-247-3
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