Name: FDD4N60NZ
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDD4N60NZ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: FDD4N60NZ

Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

La description: MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 91700

Fiches techniques en ligne: FDD4N60NZ PDF

FDD4N60NZ Avis

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séries:UniFET-II™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.8 nC @ 10 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):114W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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