Name: BSC082N10LSGATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC082N10LSGATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: BSC082N10LSGATMA1

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

La description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 13000

Fiches techniques en ligne: BSC082N10LSGATMA1 PDF

BSC082N10LSGATMA1 Avis

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séries:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:13.8A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 110µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:7400 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):156W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TDSON-8-1
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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