XPN9R614MC,L1XHQ

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Pièce du fabricant

XPN9R614MC,L1XHQ

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
9057
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:U-MOSVI
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):40 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:40A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:9.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 500µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
  • vg (max):+10V, -20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):840mW (Ta), 100W (Tc)
  • température de fonctionnement:175°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-TSON Advance (3.3x3.6)
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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