IPB024N08N5ATMA1

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Pièce du fabricant

IPB024N08N5ATMA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
42765
Fiches techniques en ligne
IPB024N08N5ATMA1 PDF
Enquête
  • séries:OptiMOS™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):80 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:120A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.8V @ 154µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:123 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8.97 pF @ 40 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):214W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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