Name: TK10V60W,LVQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK10V60W,LVQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: TK10V60W,LVQ

Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

La description: MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 0

Fiches techniques en ligne: TK10V60W,LVQ PDF

TK10V60W,LVQ Avis

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séries:DTMOSIV
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:9.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:380mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 500µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 300 V
fonction fet:Super Junction
puissance dissipée (max):88.3W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:4-DFN-EP (8x8)
paquet / caisse:4-VSFN Exposed Pad

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