TK110U65Z,RQ

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Pièce du fabricant

TK110U65Z,RQ

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
4000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:DTMOSVI
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:24A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:110mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1.02mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2250 pF @ 300 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):190W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TOLL
  • paquet / caisse:8-PowerSFN
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