RJK03B7DPA-00#J53

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Pièce du fabricant

RJK03B7DPA-00#J53

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
4000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:7.8mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.67 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):30W (Tc)
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-WPAK
  • paquet / caisse:8-PowerWDFN
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