IPL60R075CFD7AUMA1

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Pièce du fabricant

IPL60R075CFD7AUMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 650V 33A 4VSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
30698
Fiches techniques en ligne
IPL60R075CFD7AUMA1 PDF
Enquête
  • séries:CoolMOS™ CFD7
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:33A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:75mOhm @ 15.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 760µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:67 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2721 pF @ 400 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):189W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-VSON-4
  • paquet / caisse:4-PowerTSFN
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