IRFHS8342TR2PBF

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Pièce du fabricant

IRFHS8342TR2PBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
200000
Fiches techniques en ligne
IRFHS8342TR2PBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8.8A (Ta), 19A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:16mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 10 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TSDSON-6
  • paquet / caisse:6-PowerVDFN
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