DMN2005UFG-7

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Pièce du fabricant

DMN2005UFG-7

Fabricant
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
La description
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
30101
Fiches techniques en ligne
DMN2005UFG-7 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:18.1A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:164 nC @ 10 V
  • vg (max):±12V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6495 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.05W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerDI3333-8
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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