Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB180N06S4H1ATMA2
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: IPB180N06S4H1ATMA2

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

La description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 400000

Fiches techniques en ligne: IPB180N06S4H1ATMA2 PDF

IPB180N06S4H1ATMA2 Avis

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séries:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:180A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 200µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:270 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:21900 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):250W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-7-3
paquet / caisse:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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