HAT2168H-EL-E

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Pièce du fabricant

HAT2168H-EL-E

Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
3047
Fiches techniques en ligne
HAT2168H-EL-E PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:7.9mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1730 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):15W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK
  • paquet / caisse:SC-100, SOT-669
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