CSD23202W10

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Pièce du fabricant

CSD23202W10

Fabricant
Texas
La description
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
420000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):12 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2.2A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:53mOhm @ 500mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:900mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 4.5 V
  • vg (max):-6V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:512 pF @ 6 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:4-DSBGA (1x1)
  • paquet / caisse:4-UFBGA, DSBGA
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