PMZB290UNE,315

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Pièce du fabricant

PMZB290UNE,315

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1329422
Fiches techniques en ligne
PMZB290UNE,315 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:380mOhm @ 500mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:950mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:0.68 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:83 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:DFN1006B-3
  • paquet / caisse:3-XFDFN
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