SCT2450KEC

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Pièce du fabricant

SCT2450KEC

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
10000
Fiches techniques en ligne
SCT2450KEC PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):18V
  • rds sur (max) @ id, vgs:585mOhm @ 3A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 900µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 18 V
  • vg (max):+22V, -6V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:463 pF @ 800 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):85W (Tc)
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
  • paquet / caisse:TO-247-3
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