Name: IPB031N08N5ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB031N08N5ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: IPB031N08N5ATMA1

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

La description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 58781

Fiches techniques en ligne: IPB031N08N5ATMA1 PDF

IPB031N08N5ATMA1 Avis

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séries:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.8V @ 108µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:87 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6240 pF @ 40 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):167W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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