TK650A60F,S4X

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Pièce du fabricant

TK650A60F,S4X

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
250
Fiches techniques en ligne
TK650A60F,S4X PDF
Enquête
  • séries:U-MOSIX
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:650mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1.16mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1320 pF @ 300 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):45W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SIS
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
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