FDC633N

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Pièce du fabricant

FDC633N

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
500
Fiches techniques en ligne
FDC633N PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.2A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:42mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:538 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.6W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SuperSOT™-6
  • paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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