BSZ068N06NSATMA1

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Pièce du fabricant

BSZ068N06NSATMA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
84600
Fiches techniques en ligne
BSZ068N06NSATMA1 PDF
Enquête
  • séries:OptiMOS™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:40A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.3V @ 20µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.5 pF @ 30 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.1W (Ta), 46W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TSDSON-8-FL
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
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