APTM120DA30T1G

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Pièce du fabricant

APTM120DA30T1G

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APTM120DA30T1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:31A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:360mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:560 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:14560 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):657W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP1
  • paquet / caisse:SP1
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