TPH8R80ANH,L1Q

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Pièce du fabricant

TPH8R80ANH,L1Q

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
129713
Fiches techniques en ligne
TPH8R80ANH,L1Q PDF
Enquête
  • séries:U-MOSVIII-H
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:32A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 500µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 50 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.6W (Ta), 61W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP Advance (5x5)
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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