RD3L050SNTL1

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Pièce du fabricant

RD3L050SNTL1

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
201659
Fiches techniques en ligne
RD3L050SNTL1 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:109mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):15W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-252
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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