Name: IPD26N06S2L35ATMA2
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD26N06S2L35ATMA2
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: IPD26N06S2L35ATMA2

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 2000000

Fiches techniques en ligne: IPD26N06S2L35ATMA2 PDF

IPD26N06S2L35ATMA2 Avis

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séries:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 26µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:621 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):68W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO252-3-11
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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