EPC2033

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Pièce du fabricant

EPC2033

Fabricant
EPC
La description
GANFET N-CH 150V 31A DIE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
6209
Fiches techniques en ligne
EPC2033 PDF
Enquête
  • séries:eGaN®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tension drain-source (vdss):150 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:31A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:7mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 9mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 5 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1140 pF @ 75 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:Die
  • paquet / caisse:Die
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