SIE812DF-T1-E3

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Pièce du fabricant

SIE812DF-T1-E3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
3150
Fiches techniques en ligne
SIE812DF-T1-E3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):40 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:60A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.6mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8300 pF @ 20 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:10-PolarPAK® (L)
  • paquet / caisse:10-PolarPAK® (L)
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