G3R75MT12D

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Pièce du fabricant

G3R75MT12D

Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
504
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:G3R™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:41A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):15V
  • rds sur (max) @ id, vgs:90mOhm @ 20A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:2.69V @ 7.5mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 15 V
  • vg (max):±15V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1560 pF @ 800 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):207W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
  • paquet / caisse:TO-247-3
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