C3M0120065K

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Pièce du fabricant

C3M0120065K

Fabricant
Wolfspeed - a Cree company
La description
650V 120M SIC MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
440
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:C3M™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:22A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):15V
  • rds sur (max) @ id, vgs:157mOhm @ 6.76A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:3.6V @ 1.86mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 15 V
  • vg (max):+19V, -8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:640 pF @ 400 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):98W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-4L
  • paquet / caisse:TO-247-4
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