FDB13AN06A0

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Pièce du fabricant

FDB13AN06A0

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
800
Fiches techniques en ligne
FDB13AN06A0 PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10.9A (Ta), 62A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:13.5mOhm @ 62A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):115W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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