NTMFS4921NT1G

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Pièce du fabricant

NTMFS4921NT1G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
104327
Fiches techniques en ligne
NTMFS4921NT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 11.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:6.95mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 11.5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.4 pF @ 12 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):870mW (Ta), 38.5W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN, 5 Leads
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