Name: IRFB23N20DPBF
Brand: Rochester Electronics
SKU: IRFB23N20DPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: IRFB23N20DPBF

Fabricant: Rochester Electronics

La description: SMPS HEXFET POWER MOSFET

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 140000

Fiches techniques en ligne: IRFB23N20DPBF PDF

IRFB23N20DPBF Avis

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séries:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:24A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5.5V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.96 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.8W (Ta), 170W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB
paquet / caisse:TO-220-3

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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