IPN65R1K5CEATMA1

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Pièce du fabricant

IPN65R1K5CEATMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
300000
Fiches techniques en ligne
IPN65R1K5CEATMA1 PDF
Enquête
  • séries:CoolMOS™ CE
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.2A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:225 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):5W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT223
  • paquet / caisse:TO-261-3
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