RDR005N25TL

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Pièce du fabricant

RDR005N25TL

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
6136450
Fiches techniques en ligne
RDR005N25TL PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):250 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:500mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:8.8Ohm @ 250mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.5 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:70 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):540mW (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TSMT3
  • paquet / caisse:SC-96
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