NP50P03YDG-E1-AY

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Pièce du fabricant

NP50P03YDG-E1-AY

Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
NP50P03YDG-E1-AY PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:8.4mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:96 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1W (Ta), 102W (Tc)
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-HSON
  • paquet / caisse:8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
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