G2R1000MT17J

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Pièce du fabricant

G2R1000MT17J

Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:G2R™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):1700 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):20V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 2mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):+20V, -10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:139 pF @ 1000 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):54W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-263-7
  • paquet / caisse:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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