SSM3K15ACT,L3F

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Pièce du fabricant

SSM3K15ACT,L3F

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
20296
Fiches techniques en ligne
SSM3K15ACT,L3F PDF
Enquête
  • séries:U-MOSIII
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:100mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4V
  • rds sur (max) @ id, vgs:3.6Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:13.5 pF @ 3 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):100mW (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:CST3
  • paquet / caisse:SC-101, SOT-883
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