RZR020P01TL

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Pièce du fabricant

RZR020P01TL

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
4400
Fiches techniques en ligne
RZR020P01TL PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):12 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:105mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:6.5 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:770 pF @ 6 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1W (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TSMT3
  • paquet / caisse:SC-96
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