2N7002WT1G

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Pièce du fabricant

2N7002WT1G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
329700
Fiches techniques en ligne
2N7002WT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:310mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:0.7 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:24.5 pF @ 20 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):280mW (Tj)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SC-70-3 (SOT323)
  • paquet / caisse:SC-70, SOT-323
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