SI4477DY-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SI4477DY-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
151500
Fiches techniques en ligne
SI4477DY-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:26.6A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:6.2mOhm @ 18A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:190 nC @ 10 V
  • vg (max):±12V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4600 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3W (Ta), 6.6W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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