PMV30UN2R

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Pièce du fabricant

PMV30UN2R

Fabricant
Nexperia
La description
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
28945
Fiches techniques en ligne
PMV30UN2R PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4.2A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.2V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:32mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:900mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±12V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:655 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):490mW (Ta), 5W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-236AB
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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