NTE455

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Pièce du fabricant

NTE455

Fabricant
NTE Electronics, Inc.
La description
MOSFET-DUAL GATE N-CH
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
404
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bag
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:25mA
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3.5 pF @ 10 V
  • fonction fet:Standard
  • puissance dissipée (max):200mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 125°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:-
  • paquet / caisse:SOT-103
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