NVMFS6H818NWFT1G

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Pièce du fabricant

NVMFS6H818NWFT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1500
Fiches techniques en ligne
NVMFS6H818NWFT1G PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):80 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:20A (Ta), 123A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 190µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3100 pF @ 40 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN, 5 Leads
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